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東莞真空鍍膜的優(yōu)點(diǎn)及常用方法

  真空鍍膜就是在真空下鍍膜,真空下成膜有很多優(yōu)點(diǎn):可減少蒸發(fā)材料的原子、分子在飛向基板過(guò)程中于分子的碰撞,真空鍍膜減少氣體中的活性分子和蒸發(fā)源材料間的化學(xué)反應(yīng)(如氧化等),以及減少成膜過(guò)程中氣體分子進(jìn)入薄膜中成為雜質(zhì)的量,從而提供膜層的致密度、純度、沉積速率和與基板的附著力。通常真空蒸鍍要求成膜室內(nèi)壓力等于或低于10-2Pa,對(duì)于蒸發(fā)源與基板距離較遠(yuǎn)和薄膜質(zhì)量要求很高的場(chǎng)合,則要求壓力更加低。

真空鍍膜的常用方法很多,下面來(lái)讓我們一起去了解下:

  1、真空蒸鍍:將需鍍膜的基體清洗后放到鍍膜室,抽空后將膜料加熱到高溫,使蒸氣達(dá)到約13.3Pa而使蒸氣分子飛到基體表面,凝結(jié)而成薄膜。


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 ?。?、陰極濺射鍍:將需鍍膜的基體放在陰極對(duì)面,把惰性氣體(如氬)通入已抽空的室內(nèi),保持壓強(qiáng)約1.33~13.3Pa,然后將陰極接上2000V的直流電源,便激發(fā)輝光放電,帶正電的氬離子撞擊陰極,使其射出原子,濺射出的原子通過(guò)惰性氣氛沉積到基體上形成膜。

 ?。场⒄婵斟兡せ瘜W(xué)氣相沉積:通過(guò)熱分解所選定的金屬化合物或有機(jī)化合物,獲得沉積薄膜的過(guò)程。

  4、離子鍍:實(shí)質(zhì)上離子鍍系真空蒸鍍和陰極濺射鍍的有機(jī)結(jié)合,兼有兩者的工藝特點(diǎn)。

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