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致力于高端涂層技術(shù)的研究和推廣
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類金剛石薄膜是以sp3和sp2鍵的形式組合而成的亞穩(wěn)定材料，具有鉆石和石墨的優(yōu)良特性，硬度高。電阻率高。良好的光學(xué)性能和良好的摩擦學(xué)特性。那類金剛石薄膜的制備方法都有哪些呢？
一、類金剛石薄膜的物理氣相沉積法。
離子束沉積法，剛開始用于制備類金剛石涂層的方法是離子束沉積法。該方法采用各種離子源形成高密度碳原子或離子，通過引出和加速電極將具有一定能量的碳離子束引入沉積室，在基體表面形成類金剛石涂層。
另一種離子束增強(qiáng)沉積法是離子束沉積法的改進(jìn)。該方法法在碳原子(或離子)在基體表面成膜的同時(shí)，用另一種離子束轟擊生長(zhǎng)中的DLC薄膜，該方法得到的金剛石涂層在綜合性能方面大幅度提高。
濺射沉積法，濺射沉積不同于離子束沉積。濺射沉積類金剛石薄膜不需要復(fù)雜的離子源。由射頻振蕩或磁場(chǎng)激發(fā)的氬離子轟擊固體石墨靶，形成的濺射碳原子(或離子)沉積在基體表面的金剛石涂層。該方法的特點(diǎn)是沉積的離子能量范圍廣。根據(jù)濺射偏壓的種類，可以分為DC濺射、低頻濺射、高頻濺射、射頻濺射等。
脈沖激光沉積法，脈沖激光束通過聚焦鏡頭和應(yīng)時(shí)窗口引入沉積腔，投射到旋轉(zhuǎn)的石墨靶上，在高能密度的激光作用下形成激光等離子體放電，產(chǎn)生的碳離子能量高，在基體上形成擴(kuò)展鍵的四配位結(jié)構(gòu)，沉積成金剛石涂層。該方法具有沉積率高、表面光滑、硬度高、sp3鍵含量高的無氫DLC膜和非晶金剛石膜的優(yōu)點(diǎn)。但是，該方法還存在涂層沉積過程能耗高、涂層沉積面積小的缺點(diǎn)。
二、類金剛石涂層的化學(xué)氣相沉積法。
直流輝光放電化學(xué)氣相沉積，利用高壓DC負(fù)偏壓對(duì)低壓碳?xì)錃怏w進(jìn)行輝光放電，產(chǎn)生等離子體，在電場(chǎng)作用下沉積在基體上形成DLC膜，設(shè)備簡(jiǎn)單，成本低，操作方便，電極污染，可應(yīng)用范圍廣等。
射頻化學(xué)氣相沉積，利用射頻輝光放電產(chǎn)生等離子體，其中包括感應(yīng)耦合和平行板電容耦合兩種形式。由感應(yīng)耦合制成的薄膜沉積率較低。通過射頻輝光放電將碳?xì)錃怏w分解，在負(fù)偏壓作用下沉積在基體上形成DLC薄膜，其特點(diǎn)是低壓產(chǎn)生的薄膜厚度均勻，沉積速度高，穩(wěn)定性好，可調(diào)性和重復(fù)性好。
那么今天的講解就先到這里了，以上就是今天的全部?jī)?nèi)容，相信大家對(duì)類金剛石薄膜的物理與化學(xué)的制備方法也有了一定的認(rèn)識(shí)。非常感謝您的耐心閱讀。如還想了解更多關(guān)于類金剛石薄膜的相關(guān)問題，您可以撥打右上角的服務(wù)熱線，與我們咨詢。
類金剛石薄膜是以sp3和sp2鍵的形式組合而成的亞穩(wěn)定材料，具有鉆石和石墨的優(yōu)良特性，硬度高。電阻率高。良好的光學(xué)性能和良好的摩擦學(xué)特性。那類金剛石薄膜的制備方法都有哪些呢？
一、類金剛石薄膜的物理氣相沉積法。
離子束沉積法，剛開始用于制備類金剛石涂層的方法是離子束沉積法。該方法采用各種離子源形成高密度碳原子或離子，通過引出和加速電極將具有一定能量的碳離子束引入沉積室，在基體表面形成類金剛石涂層。
另一種離子束增強(qiáng)沉積法是離子束沉積法的改進(jìn)。該方法法在碳原子(或離子)在基體表面成膜的同時(shí)，用另一種離子束轟擊生長(zhǎng)中的DLC薄膜，該方法得到的金剛石涂層在綜合性能方面大幅度提高。
濺射沉積法，濺射沉積不同于離子束沉積。濺射沉積類金剛石薄膜不需要復(fù)雜的離子源。由射頻振蕩或磁場(chǎng)激發(fā)的氬離子轟擊固體石墨靶，形成的濺射碳原子(或離子)沉積在基體表面的金剛石涂層。該方法的特點(diǎn)是沉積的離子能量范圍廣。根據(jù)濺射偏壓的種類，可以分為DC濺射、低頻濺射、高頻濺射、射頻濺射等。
脈沖激光沉積法，脈沖激光束通過聚焦鏡頭和應(yīng)時(shí)窗口引入沉積腔，投射到旋轉(zhuǎn)的石墨靶上，在高能密度的激光作用下形成激光等離子體放電，產(chǎn)生的碳離子能量高，在基體上形成擴(kuò)展鍵的四配位結(jié)構(gòu)，沉積成金剛石涂層。該方法具有沉積率高、表面光滑、硬度高、sp3鍵含量高的無氫DLC膜和非晶金剛石膜的優(yōu)點(diǎn)。但是，該方法還存在涂層沉積過程能耗高、涂層沉積面積小的缺點(diǎn)。
二、類金剛石涂層的化學(xué)氣相沉積法。
直流輝光放電化學(xué)氣相沉積，利用高壓DC負(fù)偏壓對(duì)低壓碳?xì)錃怏w進(jìn)行輝光放電，產(chǎn)生等離子體，在電場(chǎng)作用下沉積在基體上形成DLC膜，設(shè)備簡(jiǎn)單，成本低，操作方便，電極污染，可應(yīng)用范圍廣等。
射頻化學(xué)氣相沉積，利用射頻輝光放電產(chǎn)生等離子體，其中包括感應(yīng)耦合和平行板電容耦合兩種形式。由感應(yīng)耦合制成的薄膜沉積率較低。通過射頻輝光放電將碳?xì)錃怏w分解，在負(fù)偏壓作用下沉積在基體上形成DLC薄膜，其特點(diǎn)是低壓產(chǎn)生的薄膜厚度均勻，沉積速度高，穩(wěn)定性好，可調(diào)性和重復(fù)性好。
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